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代理產品
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HCCW120R080H1
HCCW120R080H1
參數 值
EPN HCCW120R080H1
Type SiC MOS
BVDSS [V] 1200.00
VGS[V] -5.00~20.00
VTH[V] 2.00~4.00
ID[A] 36.00
PD(W) 220.00
RDON Typ *[mohm]@VGS=20V 80.00
Ciss[pF] 1410.00
Coss[pF] 97.00
Crss[pF] 55.50
Qg(10V)[nC] 6.70
Package TO-247
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